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GaN Systems bietet eine Reihe von Galliumnitrid-Hochleistungstransistoren für Energieumwandlungsanwendungen in den Bereichen Verbraucher, Rechenzentren, Industrie und Transport. Mit einem außergewöhnlich niedrigen Betriebswiderstand und einer vernachlässigbaren Ladungsspeicherung ermöglichen diese Geräte Schalteffizienzen, die weit über die aktuellen siliziumbasierten Lösungen hinausgehen, und bieten dramatische Vorteile für Schaltnetzteildesigns, Wechselrichter, Hybrid- und Elektrofahrzeuge, Batteriemanagement und Leistungsfaktorkorrektur-Erdung.